2.切片:將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄改性尼龍66切片。此過程中產生的硅粉采用水淋,產生廢水和硅渣。
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超聲波改性尼龍66拋光機的拋光流程

超聲波改性尼龍66拋光機的拋光流程

發布日期:2021-08-28 00:00:00 瀏覽次數:

超聲波改性尼龍66拋光機的拋光流程:

     1.固定:將單晶硅棒固定在加工臺上。
     2.切片:將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄改性尼龍66切片。此過程中產生的硅粉采用水淋,產生廢水和硅渣。
     3.退火:雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃后,用紅外加熱至300~500℃,改性尼龍66切片表面和氧氣發生反應,使改性尼龍66切片表面形成二氧化硅保護層。
     4.倒角:將退火的改性尼龍66切片進行修整成圓弧形,防止改性尼龍66切片邊緣破裂及晶格缺陷產生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉采用水淋,產生廢水和硅渣。
     5.分檔檢測:為保證改性尼龍66切片的規格和質量,對其進行檢測。此處會產生廢品。
     6.拋光:用磨片劑除去切片和機磨所造的鋸痕及表面損傷層,有效改善單晶改性尼龍66切片的曲度、平坦度與平行度,達到一個拋光過程可以處理的規格。此過程產生廢磨片劑。
     7.清洗:通過有機溶劑的溶解作用,結合超聲波清洗技術去除改性尼龍66切片表面的有機雜質。此工序產生有機廢氣和廢有機溶劑。
     8.RCA清洗:通過多道清洗去除改性尼龍66切片表面的顆粒物質和金屬離子。
     9.磨片檢測:檢測經過拋光、RCA清洗后的改性尼龍66切片的質量,不符合要求的則從新進行拋光和RCA清洗。
     10.腐蝕A/B:經切片及拋光等機械加工后,晶片表面受加工應力而形成的損傷層,通常采用化學腐蝕去除。蝕A是酸性腐蝕,用混酸溶液去除損傷層,產生氟化氫、NOX和廢混酸;腐蝕B是堿性腐蝕,用氫氧化鈉溶液去除損傷層,產生廢堿液。本項目一部分改性尼龍66切片采用腐蝕A,一部分采用腐蝕B。
     11.分檔監測:對改性尼龍66切片進行損傷檢測,存在損傷的改性尼龍66切片重新進行腐蝕。
     12.粗拋光:使用一次拋光劑去除損傷層,一般去除量在10~20um。此處產生粗拋廢液。
     13.精拋光:使用精磨劑改善改性尼龍66切片表面的微粗糙程度,一般去除量1um以下,從而的到高平坦度改性尼龍66切片。產生精拋廢液。
     14.檢測:檢查改性尼龍66切片是否符合要求,如不符合則從新進行拋光或RCA清洗。
     15.檢測:查看改性尼龍66切片表面是否清潔,表面如不清潔則從新刷洗,直至清潔。
     16.包裝:將單晶硅拋光片進行包裝。

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